关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-05 关于抑制栅感应漏端泄漏电流说法错误的是（）。 A: 采用突变结 B: 采用更高介电常数的氧化层 C: 降低氧化层厚度 D: 减小源漏区域的交叠 关于抑制栅感应漏端泄漏电流说法错误的是（）。A: 采用突变结B: 采用更高介电常数的氧化层C: 降低氧化层厚度D: 减小源漏区域的交叠 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 关于抑制栅感应漏端泄漏电流说法错误的是（ ）。 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高 以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 增加沟道长度 B: 减小栅氧化层厚度 C: 减小沟道宽度 D: 提高阈值电压 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。 A: 栅源电流 B: 栅源电压 C: 漏源电流 D: 漏源电压 场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的 。 A: 栅源电压 B: 漏源电压 C: 栅源电流 D: 漏源电流
