波动理论认为光电效应阴极中自由电子因受入射光波的电磁场作用而作受迫振动吸收光能，才能克服束缚而逸出阴极，因此，逸出电子的动能与入射光的振幅或强度有关，但实验表明，光电效应的遏止电压（与逸出电子的动能成正比）与光强无关，低于截止频率的光照射不能引起光电效应，可见，电子吸收的光能与频率有关，光电效应的反应时间极短，表明电子吸收光能几乎不要积累，这与电子受迫振动吸收光能模型相悖。
对
举一反三
- 光电效应的实验规律特征有哪些？ A: 只要频率大于截止频率，电子逸出速度极快 B: 光强越强，电子逸出速度越快 C: 电子逸出的动能只与频率有关 D: 电子逸出的动能只与光强有关 E: 只要照射时间足够，电子就会逸出 F: 入射光频率需要大于截止频率才会发生光电效应
- 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称______效应;入射光强改变物质导电率的现象称____效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动势的效应称____ 效应。( A: 光电导 B: 外光电 C: 光生伏特 D: 光电
- 硅光电池是利用光电效应原理制成的器件，下列表述正确的是( )． A: 硅光电池是把光能转变为电能的一种装置 B: 硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出 C: 逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关 D: 任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应
- 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,也称为光电发射效应
- 在光线作用下，电子从物体表面逸出的物理现象，称为外光电效应，也称光电发射效应。
内容
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半导体光电效应分外光电和内光电效应两大类，两者区别在于半导体内的电子在吸收光子后，是否能克服表面势垒而逸出半导体表面。
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在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。
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3.在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，也称为光电发射效应。( ) A: 正确 B: 错误
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在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称 效应；入射光强改变物质导电率的现象称 效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动势的效应称 效应
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当电子获得的能量大于阴极材料的逸出功A时,自由电子就可以克服金属表面束缚而逸出,形成逸出电子。这种逸出的电子称为(),光电子逸出金属表面的初速度υ可由爱因斯坦光电效应方程确定。 A: 波粒子 B: 波电子 C: 光离子 D: 光电子