A: △Ee>△Et>△Ev>△Er
B: △Er>△Ev>△Et>△Ee
C: △Et>△Ee>△Ev>△Er
D: △Ee>△Ev>△Er>△Et
举一反三
- 一个分子的能级决定于分子中电子的运动、原子骨架的平动、振动和转动，将四部分运动的能级间隔分别记为ΔEe，ΔEt，ΔEv和ΔEr。一般而言，它们的相对大小次序是（） A: ΔEe>ΔEt>ΔEv>ΔEr B: ΔEr>ΔEv>ΔEt>ΔEe C: ΔEt>ΔEe>ΔEv>ΔEr D: ΔEe>ΔEv>ΔEr>ΔEt
- 一般而言，分子的电子、振动和转动能级差的大小顺序为 A: ΔEe＞ΔEv＞ΔEr B: ΔEe＞ΔEr＞ΔEv C: ΔEe＜ΔEv＜ΔEr D: ΔEe＜ΔEv＞ΔEr
- sn ze A: ee B: ea C: er D: et
- 1. lll A: gg B: hh C: ee D: et
- 一个分子的能级决定于分子中电子的运动、原子骨架的平动、振动和转动，将四部分运动的能级间隔分别记为[img=174x25]180325db901bd92.jpg[/img]。一般而言，它们的相对大小次序是： 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
内容
- 0
对于非简并p型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致EF靠近（ ）。 A: Ec B: Ev C: Ei D: Et
- 1
电子在原子大小的范围内运动，其动能的最小值约为 A: 4 KeV B: 400 eV C: 40 eV D: 4 eV
- 2
设有一个电子在宽为0.20 nm的一维无限深方势阱中，电子在最低能级的能量为______ A: 7.43 eV B: 8.43 eV C: 9.43 eV D: 10.43 eV
- 3
设有一个电子在宽为0.20 nm一维无限深的方势阱中，电子在最低能级的能量为______ A: 7.43 eV B: 8.43 eV C: 9.43 eV D: 10.43 eV
- 4
一个分子的能级决定于分子中电子的运动，原子骨架的平动、振动和转动，将四部分运动的间隔分别记为[tex=9.143x1.286]TbqslzOGSnu3YfYNBfQX6kHENbn0Affz8w/z2No6Sqq1JPcdj4MM0BOqOjS7cSxddDzr7/fyDogckbcrf9o8bw==[/tex]。一般而言，它们的相对大小次序是 未知类型：{'options': ['[tex=11.571x1.214]BFkj8+ExjBfynzDnmmnwLK/MtIr6lLS1YLGRz9j8OMqbebtuwGT7F1qKVQ9ofnIlkdZ4MN8kfxBhRw/XVA9q2w==[/tex]', '[tex=11.571x1.214]7Ow2j7kQuGej5Wvi7LuO2yWc2zB3RbWArTLvHdGUM+xbLQK/U9x8w0b/vvUUZlyRy9Oyfm5Hj1zjzBFffyhRrQ==[/tex]', '[tex=11.571x1.214]SQCdEAfUrDpI2OCBxixF1mvRe7n4HlC1RNBcrgLyVGmFNj2ULvHC95WacEKVaCpYN7aM9SARnf8T5z9FrlGiaQ==[/tex]', '[tex=11.571x1.214]BFkj8+ExjBfynzDnmmnwLNmCPDvoZBr6pvMH8Cu6JaiffS0R/h8cJ/WHt3L43OyHE+riwNLc+iGAgwCtxtbo4w==[/tex]'], 'type': 102}