霍尔元件所产生的霍尔电势与元件所在磁场的磁感应强度有关。
对
举一反三
- 霍尔元件所产生的霍尔电势取决于______。 A: 霍尔元件材料 B: 元件尺寸 C: 元件所在磁场的磁感应强度 D: 杂质浓度
- 霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）. A: 霍尔元件的材质 B: 元件的尺寸 C: 控制电流i D: 元件所在磁场的磁感应强度 E: 电流i与磁场方向的夹角
- 霍尔传感器产生的霍尔电势与（ ）成正比。 A: 电压与磁场感应强度 B: 电流与磁场感应强度 C: 电阻与磁场感应强度 D: 电荷与磁场感应强度
- 以下能对霍尔电势产生影响的有（）。 A: 霍尔元件的灵敏度 B: 激励电流 C: 磁感应强度 D: 磁场方向和霍尔元件的夹角
- 霍尔电动势的大小与以下因素有关： A: 霍尔元件的灵敏度 B: 流经霍尔元件的电流大小 C: 穿过霍尔元件的磁感应强度 D: 穿过霍尔元件的磁场与其夹角大小
内容
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霍尔元件工作在交变或脉冲磁场中时，不加控制电流，霍尔端产生的感应输出称为感应电势。
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【填空题】当把霍尔元件置于磁感应强度为B的磁场中时,磁场方向垂直于霍尔元件,当有电流I流过霍尔元件时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生感应电动势Eh,这种现象称为()效应。所以产生的感应电动势称为()。如图所示
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磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向q =180°时,霍尔电势______,因此霍尔元件可用于测量交变磁场
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霍尔电势UH与磁感应强度B、控制电流I、霍尔元件灵敏度KH的关系是▁▁。 A: 霍尔电势UH正比于磁感应强度B B: 霍尔电势UH正比于控制电流I C: 霍尔电势UH正比于霍尔元件灵敏度KH D: 霍尔电势UH=KHBI
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智慧职教: 磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向与图9-1相反（θ=180°）时，霍尔电势（），因此霍尔元件可用于测量交变磁场。