根据半导体存储器芯片中记忆单元结构的不同，分为（ ）芯片和DRAM芯片两种，前者用于实现DRAM芯片中的行缓存（row buffer）。
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举一反三
- 半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种，PC机中内存条一般由其中的 芯片组成
- 【判断题】MOS型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种,其中SRAM芯片的电路简单,集成度高,成本较低,一般用于构成主存储器
- 通常情况下，下面是有关DRAM 和SRAM 存储器芯片的叙述错误的是( )。 A: DRAM芯片的集成度比SRAM芯片的高 B: DRAM芯片的成本比SRAM芯片的高 C: DRAM芯片的速度比SRAM芯片的高 D: DRAM 芯片工作时需要刷新， SRAM 芯片工作时不需要刷新
- 256K×8位的DRAM芯片构成1024K×32位的存储器，需要多少DRAM芯片？
- 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。 A: Ⅰ和Ⅱ B: Ⅲ和Ⅳ C: Ⅰ和Ⅳ D: Ⅱ和Ⅲ
内容
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DRAM芯片和SRAM芯片通常有什么不同？
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MOS型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种，其中_____芯片的电路简单，集成度高，成本较低，但速度要相对慢很多。
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有一个1024K×32位的存储器，由256K×8位的DRAM芯片构成，总共需要片DRAM芯片
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下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,错误的是( )[br][/br] [br][/br]I DRAM芯片的集成度比SRAM芯片的高[br][/br]II DRAM芯片的成本比SRAM芯片的高[br][/br]III DRAM芯片的速度比SRAM芯片的快[br][/br]IV DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新 A: I和II B: II和III C: III和IV D: I和IV
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下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: I. DRAM芯片的集成度比SRAM高 II. DRAM芯片的成本比SRAM高 lII. DRAM芯片的速度比SRAM快 IV. DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是( )。 A: I和II B: II和IIl C: llI和IV D: I和IV