抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？
Cl-
举一反三
内容
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种(些)离子通透性变化所致
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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。
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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位
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抑制性突触后电位是指突触前膜释放______ 递质,抑制性突触后电位产生的离子基础主要是突触后膜对______ 的通透增加。
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抑制性突触电位产生的机制是（） A: 突触前膜释放抑制性递质 B: 递质与突触后膜受体结合 C: 突触后膜对C1<sup>-</sup>通透性增加 D: 后膜去极化