以下对于光敏电阻的描述正确的是:
A: 光敏电阻是利用半导体的光电效应制成的
B: 光敏电阻的阻值随入射光增强而增强
C: 光敏电阻可以用于光的测量、控制与光电转换
D: 光敏电阻的响应速度比光敏二极管快
A: 光敏电阻是利用半导体的光电效应制成的
B: 光敏电阻的阻值随入射光增强而增强
C: 光敏电阻可以用于光的测量、控制与光电转换
D: 光敏电阻的响应速度比光敏二极管快
举一反三
- 关于光敏电阻,描述正确的是: A: 光敏电阻灵敏度与温度无关 B: 光敏电阻是利用半导体的外光电效应制成 C: 光敏电阻阻值随入射光增强而变大 D: 光敏电阻阻值变化呈非线性，因此不适宜线性测量，一般用作光电开关
- 根据光生伏特效应制成的光电器件是（ ）。 A: 光敏电阻 B: 光电池 C: 光敏二极管 D: 光敏晶闸管
- 据光生伏打效应制成的光电器件是（） A: 光敏电阻 B: 光电池 C: 光敏二极管 D: 光敏晶闸管
- 基于光生伏特效应的光电器件有( )。 A: 光电池 B: 光敏二极管 C: 光敏晶体管 D: 光敏电阻
- 基于半导体光生伏特效应的光电器件有() A: 光电管 B: 光敏二极管 C: 光敏电阻 D: 光电池