关于霍尔电势下列说法正确的是()。
A: 霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度
B: 霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比
C: 霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比
D: 以上说法都对
A: 霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度
B: 霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比
C: 霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比
D: 以上说法都对
D
举一反三
- 霍尔电势UH与磁感应强度B、控制电流I、霍尔元件灵敏度KH的关系是▁▁。 A: 霍尔电势UH正比于磁感应强度B B: 霍尔电势UH正比于控制电流I C: 霍尔电势UH正比于霍尔元件灵敏度KH D: 霍尔电势UH=KHBI
- 霍尔效应中,霍尔电势与() A: 霍尔常数成正比 B: 霍尔常数成反比 C: 霍尔元件的厚度成正比
- 霍尔效应中,霍尔电势与( ) A: 激励电流成反比 B: 磁感应强度成反比 C: 激励电流成正比 D: 霍尔片厚度成正比
- 霍尔效应中,霍尔电势与( )。 A: 磁感应强度成反比 B: 激磁电流成反比 C: 磁感应强度成正比 D: 激磁电流成正
- 霍尔电动势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔系数成()而与霍尔片厚度成(),为了提高灵敏度霍尔元件常做成()形状。
内容
- 0
霍尔式传感器的理论基础是霍尔效应,当霍尔元件材料和几何尺寸确定之后,霍尔电势的大小正比于控制电流和磁感应强度。(<br/>)
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关于霍尔电势说法不正确的是( )。 A: 电势大小是霍尔元件灵敏度、施加磁场、流过电流大小的乘积 B: 电势方向与磁场方向无关 C: 霍尔电势可以是直流也可能是交流的,取决于具体应用 D: 霍尔电势受温度影响较大
- 2
以下能对霍尔电势产生影响的有()。 A: 霍尔元件的灵敏度 B: 激励电流 C: 磁感应强度 D: 磁场方向和霍尔元件的夹角
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霍尔电势的大小正比于()和()。对霍尔元件可采用()驱动和()驱动。
- 4
当霍尔元件的控制电流为IN时,若元件所处位置磁感应强度为零,则它的霍尔电势应该为零,但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为( )。 A: 寄生直流电势 B: 寄生感应电势 C: 霍尔电势 D: 不等位电势