中国大学MOOC: 对于硅三极管，死区电压约为 ，对于锗三极管，死区电压约为 。
0.5V；0.1V
举一反三
内容
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硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
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硅二极管的死区电压约为(),锗二极管的死区电压约为()。
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14.3.1二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少伏？
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按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
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硅管的死区电压约为（）