关于费米能级,下列说法正确的有()
A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化
B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平
C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关
D: 掺杂浓度越高,半导费米能级的位置越高
A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化
B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平
C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关
D: 掺杂浓度越高,半导费米能级的位置越高
A,B,C
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举一反三
内容
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以下关于“费米能级的变化”说法正确的是: A: 从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级。 B: 费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近。 C: 费米能级一直随温度升高而降低。 D: 费米能级一直随温度升高而增大。 E: 费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。 F: 费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。
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下列关于费米能级的说法错误的是( )。 A: 费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大 B: 本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近 C: N型半导体的费米能级比较靠近价带顶 D: N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
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对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:
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1.下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是( )。 A: P型半导体中,费米能级靠近导带 B: 在热平衡下,PN结两边的半导体具有同一条费米能级 C: N型半导体中,费米能级靠近价带 D: 在外加电压下,PN结两边的半导体具有同一条费米能级
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N型半导体的费米能级越靠近导带底,说明半导体的掺杂浓度越高。