静态工作点Q设置偏高，易产生截止失真（）
举一反三
- N沟道MOSFET放大电路，如果静态工作点设置偏低，易产生（）失真，静态工作点设置偏高，易产生（）失真。
- 静态工作点Q设置过高或者过低会有出现怎样的情况 A: 静态工作点Q设置过高，会出现饱和失真 B: 静态工作点Q设置过高，会出现截止失真 C: 静态工作点Q设置过低，会出现饱和失真 D: 静态工作点Q设置过低，会出现截止失真
- 静态工作点偏低，会造成（）失真；静态工作点偏高，会造成（）失真。 A: 截止；饱和 B: 饱和；截止
- 在三极管共射放大电路中,静态工作点设置过高会产生( ),静态工作点设置过低会产生( )。 A: 截止失真,饱和失真 B: 饱和失真,截止失真 C: 饱和失真,交越失真 D: 截止失真,直流失真
- 共射放大电路的静态工作点Q设置过高,则容易产生。 A: 频率失真 B: 截止失真 C: 饱和失真