兴奋性突触后电位是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性而引起的
举一反三
- 兴奋性突触后电位,是兴奋性突触的突触前神经元释放兴奋性递质,提高突触后膜对K+和Cl+通透性引起的
- 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？
- 兴奋性突触后电位是突触后膜对什么离子的通透性增加而引起的
- 当突触前末梢释放的递质与突触后膜结合后（）。 A: 兴奋性递质引起突触后膜产生EPSP B: 兴奋性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位 C: 抑制性递质引起突触后膜产生IPSP D: 抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位 E: 兴奋性递质提高突触后膜对Na和K的通透性
- 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（） A: 兴奋性突触后电位和局部电位 B: 抑制性突触后电位和局部电位 C: 兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位 D: 兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位 E: 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位