若 [tex=2.5x1.0]onrf9CQRAgKpgFPkum9uyA==[/tex] 的存储矩阵为 [tex=1.5x1.0]mB1a+XaZbogXKekStu1GBA==[/tex] 字[tex=1.286x1.143]zlfGAo3NaTqy9JbCxj5H2A==[/tex] 位，试问其地址线和数据线各为多少条?
举一反三
- 一个 [tex=4.286x1.143]23MNWXQz0i1H9GIf9OcpB4PPxRaBU4xe56FuTj1n1Io=[/tex]位的 [tex=2.5x1.0]onrf9CQRAgKpgFPkum9uyA==[/tex]芯片, 其地址线为[input=type:blank,size:4][/input]位, 数据线为[input=type:blank,size:4][/input]位。
- 某存储器容量为[tex=3.643x1.143]/kMyiR62XZv9EEMoF3doUw==[/tex]位,则[br][/br] 未知类型：{'options': ['地址线为[tex=1.0x1.0]mqXSIedfIXuT5QAh9Hrzdg==[/tex]根,数据线为[tex=1.0x1.0]5Wf867QmqWheYOY0G/cAHw==[/tex]根[br][/br]', '地址线为[tex=1.0x1.0]5Wf867QmqWheYOY0G/cAHw==[/tex]根,数据线为[tex=1.0x1.0]mqXSIedfIXuT5QAh9Hrzdg==[/tex]根[br][/br]', '地址线为[tex=1.0x1.0]GqOMsRKoSA9JSFw5lv/vpw==[/tex]根,数据线为[tex=1.0x1.0]mqXSIedfIXuT5QAh9Hrzdg==[/tex]根[br][/br]'], 'type': 102}
- 在化合物[tex=3.143x1.214]v4ZSy342c4rYHJ17K2Seyg==[/tex]的质谱中， [tex=1.0x1.0]/4LSvKfNeQWJ+IvWbbbjdA==[/tex]和[tex=2.286x1.143]6xy5cvv57RhdtLjINMq7Bw==[/tex]峰的相对强度比应为（ ） A: 98. 9 : 1. 1 B: 98. 9 : 0. 02 C: 2 : 1 D: 1 : 1 E: 3 : 1
- 如果X满足[tex=1.0x1.214]uDLq1pltx8bidzPpXavtVw==[/tex]公理和[tex=1.0x1.214]HSZQQmMoQLPTE8orMMvtgA==[/tex]公理，则也满足[tex=1.0x1.214]9/dZqDJTFQ9zWNw2dnPh4g==[/tex]公理。
- 已知某[tex=0.5x1.0]hdFTVbNvvzh5T04p00SpZA==[/tex]位机的主存采用半导体存储器,其地址码为[tex=1.0x1.0]Yr2e2KsL8KeUNhWQSLXAew==[/tex]位,采用[tex=3.071x1.143]3gyELjd/VHeMWGKRx4rpoQ==[/tex]位的静态[tex=2.5x1.0]onrf9CQRAgKpgFPkum9uyA==[/tex]芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用模块板形式,问:每个模块板内共有多少片[tex=2.5x1.0]onrf9CQRAgKpgFPkum9uyA==[/tex]芯片?[br][/br]