1、满足（ ）条件，该放大电路为同相放大电路。
A: Vp=0，Vn≠0
B: Vp=0，Vn=0
C: Vp≠0，Vn=0
D: Vp≠0，Vn≠0
A: Vp=0，Vn≠0
B: Vp=0，Vn=0
C: Vp≠0，Vn=0
D: Vp≠0，Vn≠0
C
举一反三
- 设vN、vP、和vO分别表示反相输入端、同相输入端和输出端电压，则vO与vP（）变化，而vO与vN（）变化。
- 设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与VN、VP分别成（ ） A: 同相、同相 B: 反相、反相 C: 同相、反相 D: 反相、同相
- 设VN、VP和Vo分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则Vo与VN、VP分别成（ ） A: 同相、同相 B: 反相、反相 C: 同相、反相 D: 反相、同相
- 设vN、vP和vO分别表示运放反相输入端电压、同相输入端电压和输出端电压，则vO与vN、vP之间的相位关系分别为（ ）。 A: 同相，同相 B: 反相，反相 C: 同相，反相 D: 反相，同相
- 在题图所示电路中，设A为理想运放，那么电路中存在关系（ ）。[img=210x144]1802f5dcbecdeae.jpg[/img] A: VN =0 B: VN =Vi-i1R2 C: VN =Vi D: i1 = -i2
内容
- 0
对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
- 1
一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、IDSS分别为（ ）。[img=283x320]18034eda990f785.jpg[/img] A: VP=-4V ,IDSS=0 B: VT=-4V, IDSS=0 C: VP=-4V, IDSS=3mA D: VT=-4V, IDSS=3mA
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放大电路满足深度负反馈的条件是（ ） 。 A: AF<0 B: AF=-1 C: AF>0 D: 1+AF>>1
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N沟道耗尽型场效应管的夹断电压VP为( ) A: 正值 B: 负值 C: 0 D: 以上都不是
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放大电路满足深度负反馈的条件是（ ） 。 A: AF<0 B: AF=-1 C: AF>0 D: 1+AF>>1