[tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex]型半导体中空穴是多数载流子，因而[tex=0.714x1.0]yVFYd/aJUOHD6VCSg0YlkQ==[/tex]型半导体带正电;[tex=0.857x1.0]HcQeTeQtUqN73yUJqDRZkQ==[/tex]型半导体中自由电子是多数载流子,因而[tex=0.857x1.0]HcQeTeQtUqN73yUJqDRZkQ==[/tex]型半导体带负电。这种说法是否正确。
举一反三
- [tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex] 型半导体中空穴是多数载流子,因而 [tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex]型半导体带正电;[tex=0.857x1.0]+NBI8Pm2vVS+bGgOpHKyOA==[/tex] 型半导体中自由电子是多数载流子,因而 [tex=0.857x1.0]+NBI8Pm2vVS+bGgOpHKyOA==[/tex] 型半导体带负电。这种说法是否正确。
- [tex=0.857x1.0]HcQeTeQtUqN73yUJqDRZkQ==[/tex]型半导体[input=type:blank,size:4][/input],[tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex]型半导体[input=type:blank,size:4][/input][br][/br]a带正电[br][/br]b带负电[br][/br]c呈中性[br][/br]
- [tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex]型半导体和[tex=0.929x1.286]9yLabwWeyn0cMD+fIBc3Rg==[/tex]型半导体接触后形成[tex=2.857x1.286]X0HMXV33izkMCpkEyEovbg==[/tex]结，[tex=0.929x1.286]9yLabwWeyn0cMD+fIBc3Rg==[/tex]型中的电子能否无限地向[tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex]型区扩散?为什么?
- [tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex]型半导体是纯净半导体中加入以下物质后形成的半导体电子。
- 本征半导体中的自由电子浓度[input=type:blank,size:4][/input]空穴浓度;[tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex]型半导体中的自由电子浓度[input=type:blank,size:4][/input]空穴浓度;[tex=0.857x1.0]HcQeTeQtUqN73yUJqDRZkQ==[/tex]型半导体中的自由电子浓度[input=type:blank,size:4][/input]空穴浓度。a大于 [br][/br]b小于[br][/br]c等于 A: 大于 B: 小于 C: 等于