关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-18 离子注入过程中,离子穿过硅片的总距离,称为: A: 射程 B: 投影射程 C: 横向射程 D: 投影射程的标准偏差 离子注入过程中,离子穿过硅片的总距离,称为:A: 射程B: 投影射程C: 横向射程D: 投影射程的标准偏差 答案： 查看 举一反三 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为 A: 投影射程 B: 离子射程 C: 横向射程 D: 标准偏差 注入离子能量越高，离子射程越大。 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度 射程为8米的喷灌喷头属于哪一类射程喷头（） A: 近射程 B: 中射程 C: 大射程 D: 远射程 灯标的灯光射程有（）两种。 A: 实际射程 B: 光力射程 C: 地理射程 D: 理论射程 E: 其他射程
