（ ）的半导体是双极半导体。
A: III-V族化合物中III族和V族原子荷电状态不同
B: 存在电子和空穴两个子系统
C: 一种可实现n型和p型掺杂
D: 能形成等电子陷阱
A: III-V族化合物中III族和V族原子荷电状态不同
B: 存在电子和空穴两个子系统
C: 一种可实现n型和p型掺杂
D: 能形成等电子陷阱
C
举一反三
内容
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已知某元素+3价离子的电子排布式1s22s22p63s23p63d5，该元素在周期表中属于（ ）。 A: V B族 B: III B族 C: VIII 族 D: V A族
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V族杂质在硅锗中电离，故放出电子产生导电导子形成正电中心，称为（），释放电子的过程称为（）。依靠（）的半导体称为n型半导体。
- 2
杂质半导体分为（ ） A: 掺杂五价元素，构成N型半导体 B: 掺杂三价元素，构成P型半导体 C: 电子型半导体 D: 空穴型半导体
- 3
对N型半导体和P型半导体说法错误的是( )。 A: 存在多余电子的称为N型半导体 B: 存在多余空穴的称为P型半导体 C: N型半导体中电子为多数载流子 D: N型半导体中多余价电子收到共价键的束缚较弱
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P型半导体的多子是____,N型半导体的少子是____?( ) A: 电子,电子 B: 空穴,空穴 C: 电子,空穴 D: 空穴,电子