关于晶体中的缺陷，下面哪种说法是正确的？
A: 空位是固定在晶体某个位置的点缺陷
B: 滑移是线缺陷的一种主要运动形
C: 晶体硅的层错多发生在（111）面
D: 为达到所设计的电学特性可以将杂质硼大量掺入硅晶体中
A: 空位是固定在晶体某个位置的点缺陷
B: 滑移是线缺陷的一种主要运动形
C: 晶体硅的层错多发生在（111）面
D: 为达到所设计的电学特性可以将杂质硼大量掺入硅晶体中
举一反三
- 关于晶体中的缺陷，下面哪种说法是正确的（） A: 空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷 B: 滑移是线缺陷的一种主要运动形式 C: 晶体硅的层错多发生在（111）面 D: 为达到所设计的电学特性可以将杂质硼无限制掺入硅晶体
- 下面哪种是硅晶体中的点缺陷（） A: 硅晶体中的磷杂质 B: 晶体中的带一个正电的空位 C: 硅晶体有少量的钠 D: 层错
- 晶体中的空位属于（）。 A: 点缺陷 B: 线缺陷 C: 面缺陷
- 下面哪种是硅晶体中的点缺陷？ A: 硅晶体中的磷杂质 B: 晶体中荷一个正电的空位 C: 晶体中的一个空洞 D: 在硅晶体中聚集的痕量碳
- 晶体中的空位属于（）。 A: 线缺陷 B: 面缺陷 C: 点缺陷 D: 体缺陷