关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-04-14 室温下，常见掺杂Si或Ge晶体的杂质都是全电离的。 室温下，常见掺杂Si或Ge晶体的杂质都是全电离的。 答案： 查看 举一反三 室温下，简并Si，其中的杂质充分电离。 B原子掺入Si晶体中，形成替位式杂质，其电离后在Si中留下可动的负电中心。 室温下，Ge的本征德拜长度大于Si的本征德拜长度。 对于非简并Si半导体，室温下杂质能级为孤立的能级。 对于Si突变pn结来说，室温下接触电势差仅和各区的掺杂浓度相关。
