一维方势垒势场中运动的粒子,穿透势垒的概率随势垒宽度增大而(),随势垒高度增大而()。
A: 增大;增大
B: 增大;减小
C: 减小;增大
D: 减小;减小
A: 增大;增大
B: 增大;减小
C: 减小;增大
D: 减小;减小
举一反三
- 已知有一PN+结，通过降低NA， 势垒区宽度， 击穿电压， 势垒电容 A: 增大，增大，增大 B: 增大，增大，减小 C: 增大，减小，减小 D: 减小，减小，减小
- 以下关于PN结电容说法正确的是 A: 正向偏压增大时，势垒电容减小； B: 正向偏压增大时，扩散电容减小； C: 反向偏压增大时，势垒电容减小； D: 势垒电容是一种固定电容。
- 以下关于PN结电容说法正确的是 A: 反向偏压增大时，势垒电容减小； B: 正向偏压增大时，势垒电容减小； C: 正向偏压增大时，扩散电容减小； D: D. 势垒电容是一种固定电容。
- 以下关于PN结电容说法正确的是（） A: 正向偏压增大时，势垒电容减小 B: 正向偏压增大时，扩散电容减小 C: 反向电压的值增大时，垫垒电容减小 D: 势垒电容是一种固定电容
- 降低晶体管导通时间的措施不包括（）。 A: 增大集电结势垒电容 B: 减小结面积 C: 增大β D: 减小发射结势垒电容