小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。
A: 0.4V
B: 0.5V
C: 0.6V
D: 0.7V
A: 0.4V
B: 0.5V
C: 0.6V
D: 0.7V
B
举一反三
内容
- 0
2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9
- 1
二极管的正向特性曲线中有一段“死区电压”，硅管的死区电压约为（ ）V；锗管的死区电压约为（ ）V。
- 2
锗二极管的“正向压降”约为( )V。 A: 0.2 B: 0.5 C: 0.6 D: 0.7
- 3
硅二极管的导通电压约为（ ）V。 A: 0.3 B: 0.5 C: 0.6 D: 0.7
- 4
在常温下，硅二极管的死区电压约为（）V A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7