在推导MOSFET电流方程时,假设沟道区不存在产生-复合电流。若严格考虑,MOSFET正常工作时,
A: 沟道区存在产生电流
B: 沟道区存在复合电流
C: 沟道区既不存在产生电流,也不存在复合电流
D: 沟道区同时存在产生电流和复合电流,但可相互抵消
A: 沟道区存在产生电流
B: 沟道区存在复合电流
C: 沟道区既不存在产生电流,也不存在复合电流
D: 沟道区同时存在产生电流和复合电流,但可相互抵消
举一反三
- 中国大学MOOC: 在推导MOSFET电流方程时,假设沟道区不存在产生-复合电流。若严格考虑,MOSFET正常工作时,
- 为定量分析MOSFET电流-电压特性，可以假定（ ）。 A: 漏区和源区的电压降可以忽略不计 B: 沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多 C: 在沟道内载流子的迁移率为常数 D: 以上都正确
- n沟道增强型MOSFET工作于电流源区的条件是______ ，工作于电阻区的条件是______ 。
- 空间电荷区存在下面情况下PN结输出特性一定偏离理想PN结电压电流方程 A: 存在内建电场 B: 存在载流子复合 C: 存在载流子产生 D: 存在界面陷阱
- 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。