8. 以下参数中，对线性区的MOSFET场效应管的漏极电流影响最小的最有可能是哪一个？
A: A．栅极电压
B: B．栅氧化层厚度
C: C．漏极电压
D: D．晶体管在芯片中的所处位置
A: A．栅极电压
B: B．栅氧化层厚度
C: C．漏极电压
D: D．晶体管在芯片中的所处位置
举一反三
- 场效应管的工作原理是() A: 栅源电压控制漏极电流 B: 栅源电压控制漏极电压 C: 栅极电流控制漏极电流 D: 栅极电流控制漏极电压
- MOSFET利用（ ）电压控制（ ）电流的大小，是（ ）器件。 A: 栅漏，漏极，电流控制电流 B: 栅源，漏极，电压控制电流 C: 漏源，漏极，电流控制电压 D: 栅源，栅极，电流控制电压
- 【单选题】场效应管是用 _____ 控制漏极电流的 A. 栅源电流 B. 栅源电压 C. 漏源电流 D. 漏源电压
- 场效应管的跨导gm反映了场效应管（ ）的控制能力。 A: 栅源电压对漏极电流 B: 栅源电压对漏源电压 C: 栅极电压对漏极电流 D: 栅源电压对栅漏电压
- 场效应管是通过（）改变漏极电流的。 A: 栅极电流 B: 栅源电压 C: 漏源电压