电力场效应晶体管MOSFET ( ) 现象。
A: 有二次击穿
B: 无二次击穿
C: 防止二次击穿
D: 无静电击穿
A: 有二次击穿
B: 无二次击穿
C: 防止二次击穿
D: 无静电击穿
B
举一反三
- 电力晶体管在使用时，要防止（）。 A: 二次击穿 B: 静电击穿 C: 时间久而失效 D: 工作在开关状态
- 关于BJT的击穿问题,以下说法中正确的是:() A: BJT的一次击穿具有可逆性,二次击穿不可逆。 B: BJT的一次击穿不可逆,二次击穿具有可逆性。 C: BJT的一次击穿和二次击穿均具有可逆性。 D: BJT的一次击穿和二次击穿均不可逆。
- 【单选题】1、 有关 GTR 的二次击穿现象表述正确的是: A. 虽然 GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。 B. GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。 C. GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关
- GTR不存在二次击穿现象
- 使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。
内容
- 0
GTR发生二次击穿时电压未超过雪崩击穿电压。
- 1
当电力晶体管GTR的集电极电压升高到击穿电压时,如果电流不加以限制,会使集电极电流急剧上升,电压陡然下降,此现象称为二次击穿
- 2
电力晶体管在使用时,要防止()。 A: 二次击 B: 雷电击穿 C: 时间久而失效 D: 工作在开关状态
- 3
描述GTR的二次击穿特性。
- 4
有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：