已知八面体配离子[img=61x24]18039d1c963f66a.jpg[/img]中的配体是弱场，[img=104x24]18039d1ca30bf17.jpg[/img]中配体是强场。[img=42x22]18039d1cae83d8f.jpg[/img]的d电子是[img=24x22]18039d1cba706d3.jpg[/img]构型，下列说法正确的是：
A: [img=61x24]18039d1cc562b61.jpg[/img]中[img=42x22]18039d1cd0367f7.jpg[/img]的d电子排布为[img=56x25]18039d1cdb8e48b.jpg[/img]
B: [img=61x24]18039d1ce70cfe1.jpg[/img]的晶体场分裂能小，所以是低自旋的
C: [img=104x24]18039d1cf29ba31.jpg[/img]的稳定性大于[img=61x24]18039d1cff74947.jpg[/img]
D: [img=104x24]18039d1d094e554.jpg[/img]中d电子排布为[img=56x24]18039d1d145fa78.jpg[/img]
A: [img=61x24]18039d1cc562b61.jpg[/img]中[img=42x22]18039d1cd0367f7.jpg[/img]的d电子排布为[img=56x25]18039d1cdb8e48b.jpg[/img]
B: [img=61x24]18039d1ce70cfe1.jpg[/img]的晶体场分裂能小，所以是低自旋的
C: [img=104x24]18039d1cf29ba31.jpg[/img]的稳定性大于[img=61x24]18039d1cff74947.jpg[/img]
D: [img=104x24]18039d1d094e554.jpg[/img]中d电子排布为[img=56x24]18039d1d145fa78.jpg[/img]
举一反三
- 设二维随机变量（X,Y）的概率密度为 [img=248x65]17da6b112c9df33.png[/img]则 [img=111x35]17da6b1137bde93.png[/img]= （ ）。 A: 1/24 B: 1/4 C: 1/2 D: 1/12
- 设二维随机变量（X,Y）的概率密度为 [img=248x65]178698ad2d703df.png[/img]则 [img=111x35]178698ad3fb7aa2.png[/img]= （ ）。 A: 1/12 B: 1/24 C: 1/2 D: 1/4
- 获取页面中所有jpg格式的图片，以下写法正确的是（）。 A: $（"img[src$=jpg]"） B: $（"img[src^=jpg]"） C: $（"img[src=jpg]"） D: $（"img[src*=jpg]"）
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]1802d3b369ab5fe.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]1802d3b372fb534.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]1802d3b37bbbf05.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18034b986fbc78a.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18034b98781508a.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18034b9880d080a.png[/img]