霍尔电压正比于电流强度和磁场强度,且与霍尔元件的形状有关( )
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
- 霍尔电压正比于电流强度和磁场强度,且与霍尔元件的形状有关(
- 中国大学MOOC: 霍尔电压正比于电流强度和磁场强度,且与霍尔元件的形状有关
- 霍尔传感器产生的霍尔电势与( )成正比。 A: 电压与磁场感应强度 B: 电流与磁场感应强度 C: 电阻与磁场感应强度 D: 电荷与磁场感应强度
- 霍尔电势的大小与下列( )因素无关。 A: 电流 B: 霍尔元件的尺寸 C: 电场强度 D: 磁场强度
- 霍尔电势UH与磁感应强度B、控制电流I、霍尔元件灵敏度KH的关系是▁▁。 A: 霍尔电势UH正比于磁感应强度B B: 霍尔电势UH正比于控制电流I C: 霍尔电势UH正比于霍尔元件灵敏度KH D: 霍尔电势UH=KHBI
内容
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关于霍尔传感器的说法错误的是( )。 A: 霍尔传感器有在静态下感受磁场的能力 B: 控制电流不变时,霍尔电势正比于磁感应强度 C: 当控制电流、磁感应强度均变时,传感器输出与二者乘积成真正比 D: 当磁场强度不变时,霍尔电压与控制电流成反比
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在理想霍尔效应中,霍尔电压的值与多重因素有关系,下列叙述中哪个不正确( ) A: 霍尔电压与通过霍尔元件的电流有关 B: 霍尔电压与垂直于霍尔元件的磁场有关 C: 霍尔电压与材料载流子的浓度有关 D: 霍尔电压与材料的几何结构无关
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霍尔电动势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔系数成()而与霍尔片厚度成(),为了提高灵敏度霍尔元件常做成()形状。
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霍尔元件灵敏度与霍尔常数RH成( ) ,而与霍尔片厚度d成( )。为了提高灵敏度,霍尔元件常制成( ) 。 A: 正比,正比 ,厚片形状 B: 正比,反比 ,厚片形状 C: 正比,正比 ,薄片形状 D: 正比,反比 ,薄片形状
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当电流通过放在磁场中的霍尔半导体基片,且电流方向与磁场方向____时,在垂直于电流和磁场的霍尔半导体基片的____面上,便可产生一个与电流大小和磁场强度成正比的____电压。