关于CMOS反相器的电路结构描述正确的是（ ）。
A: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
B: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
C: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
D: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
A: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
B: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
C: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
D: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
举一反三
- 某场效应管的转移特性如图所示,则此场效应管为()。 A: 绝缘栅N沟道耗尽型 B: 绝缘栅P沟道耗尽型 C: 绝缘栅N沟道增强型 D: 绝缘栅P沟道增强型
- 绝缘栅场效应管可分为N沟道_______MOS管,P沟道增强型MOS管,______沟道耗尽型MOS管和P沟道______MOS管
- 某绝缘栅场效应管的符号如图所示,则该绝缘栅场效应管应为()。 A: N沟道增强型 B: N沟道耗尽型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 【单选题】某绝缘栅场效应管的符号如图所示,则该绝缘栅场效应管应为()。 A. P 沟道增强型 B. N 沟道增强型 C. P 沟道耗尽型 D. N 沟道耗尽型
- 某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（ ）。[img=80x80]180377bed694293.png[/img] A: P沟道增强型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: N沟道耗尽型