轻掺杂时，当温度一定，半导体掺杂浓度减少，其导电性（ ）。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 先增大后减小
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 先增大后减小
举一反三
- 在一定的温度下，如果增加杂质半导体的掺杂浓度，则少子的浓度将会 。 A: 减小 B: 增大 C: 不变 D: 不确定
- 轻掺杂为B的Si,其电阻率随温度升高变化过程为()。 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 不变 D: 先减小后增大再减小
- 当温度升高时,二极管中的反向饱和电流将()。A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小 A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 先增大后减小
- 半导体的电阻随温度的升高 ( )。 A: 不变 B: 增大 C: 减小 D: 先增大后减小
- 7、PN结势垒电容与掺杂浓度的关系：掺杂浓度越高，势垒电容（ ）。 A: A 先增大后减小 B: B 越小 C: C 不变 D: D 越大