（1）电路如下图所示，已知集成运放为理想运放，计算电压放大倍数表达式为[mathjaxinline]A_{\rm {uf}}[/]=_____。
A: [mathjaxinline]\frac{R_2}{R_1}[/mathjaxinline]
B: [mathjaxinline]1+\frac{R_2}{R_1}[/mathjaxinline]
C: [mathjaxinline]\frac{R_2+R_3}{R_1}[/mathjaxinline]
D: [mathjaxinline]1+\frac{R_3}{R_1}[/mathjaxinline]
A: [mathjaxinline]\frac{R_2}{R_1}[/mathjaxinline]
B: [mathjaxinline]1+\frac{R_2}{R_1}[/mathjaxinline]
C: [mathjaxinline]\frac{R_2+R_3}{R_1}[/mathjaxinline]
D: [mathjaxinline]1+\frac{R_3}{R_1}[/mathjaxinline]
举一反三
- （5）已知圆管中的流速分布式为[mathjaxinline] u(r)=C(1-\frac{r^2}{R^3}) [/mathjaxinline]，则切应力最大的位置为（ ）
- 9、选择。<br/>若将下左图所示的并联比较型A/D转换器输入数字量增加至8位，并采用下右图所示的量化电平划分方法。（1）最大的量化误差是_____ A: [mathjaxinline]\frac{V_{\rm {REF}}}{2^9-1}[/mathjaxinline] B: .[mathjaxinline]\frac{V_{\rm {REF}}}{2^{10}}[/mathjaxinline] C: . [mathjaxinline]\frac{V_{\rm {REF}}}{2^{10}-1}[/mathjaxinline]
- 2. 选择正确答案填入空内：<br/>[mathjaxinline]n[/]变量逻辑函数，在输入变量的某一任意取值下，使得[mathjaxinline]m_iM_j=1[/]的最小项和最大项组合有_____个。 A: 0 B: 1 C: [mathjaxinline]n[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]2^n[/mathjaxinline] E: [mathjaxinline]2^n[/mathjaxinline]-1
- 十八、从[mathjaxinline](exists y)( orall x) R(x,y)[/mathjaxinline]能推出的是：
- 选择正确答案填入空内：使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline]