中国大学MOOC: 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷，可通过 退火，选用 晶向（ ）。
高温，(100)
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举一反三
- 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷，可通过 退火，选用 晶向（ ）。 A: 低温，(100) B: 低温，(111) C: 高温，(100) D: 高温，(110)
- 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷，可通过 退火，选用 晶向（ ）。 A: 低温，(100) B: 低温，(111) C: 高温，(100) D: 高温，(110)
- 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- 中国大学MOOC: 按界面两侧晶体的位向差大小分类，可分为小角晶界和大角晶界
内容
- 0
中国大学MOOC: 孪晶界是孪晶之间的分界面
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中国大学MOOC: 晶体中的界面包括晶界、孪晶界、相界和（）等几种形式。
- 2
Si-SiO2界面态密度最大的晶向是（ ）。 A: (111) B: (110) C: (100) D: 界面态密度与晶向无关
- 3
Si-SiO2界面态密度最大的晶向是（）。 A: (111) B: (110) C: (100) D: 界面态密度与晶向无关
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中国大学MOOC: 3.孪晶界是理想共格界面。