中国大学MOOC: 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷,可通过 退火,选用 晶向( )。
举一反三
- 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷,可通过 退火,选用 晶向( )。 A: 低温,(100) B: 低温,(111) C: 高温,(100) D: 高温,(110)
- 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷,可通过 退火,选用 晶向( )。 A: 低温,(100) B: 低温,(111) C: 高温,(100) D: 高温,(110)
- 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是( )。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是( )。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- 中国大学MOOC: 按界面两侧晶体的位向差大小分类,可分为小角晶界和大角晶界