•在光电效应实验中,用频率为ν的光照射光电管阴极,发生了光电效应,下列说法正确的是()•
A: A．增大入射光的强度，光电流增大•
B: 减小入射光的强度，光电效应现象消失
A: A．增大入射光的强度，光电流增大•
B: 减小入射光的强度，光电效应现象消失
A
举一反三
- 在光电效应实验中，用频率为ν的光照射光电管阴极，发生了光电效应，下列说法正确的是（） A: 增大入射光的强度，光电流增大 B: 减小入射光的强度，光电效应现象消失 C: 改用频率小于ν的光照射，一定不发生光电效应 D: 改用频率大于ν的光照射，光电子的最大初动能减小
- 在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）。A．外光电效应 B．内光电效应C．光电发射 D．光导效应 A: 外光电效应 B: 内光电效应 C: 光电发射 D: 光导效应
- 光电效应包括（ ）。 A: 外光电效应 B: 光电偶效应 C: 光生伏特效应 D: 光电导效应
- 光电管和光电倍增管是利用（）制成的光电器件。 A: 内光电效应 B: 光生伏特效应 C: 外光电效应 D: 阻挡层光电效应
- 光电池的工作原理是：（ ） A: 内光电效应 B: 外光电效应 C: 光电发射效应 D: 光生伏特效应
内容
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光电效应实验中，要使光电管电路中饱和光电流增大，应采取的措施是() A: 增大入射光的波长 B: 增大入射光的频率 C: 增大入射光的强度 D: 增长光照射的时间
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受光照射的物质在一定方向产生电势的现象叫（） A: 外光电效应 B: 光生伏特效应 C: 内光电效应 D: 光电磁效应
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光敏电阻的制作依据是（） A: 外光电效应 B: 光电倍增效应 C: 内光电效应 D: 光生伏特效应
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光电传感器,是利用某些半导体材料在入射光发生变化的情况下产生了() A: 光电效应 B: 霍尔效应 C: 热电效应 D: 压电效应
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利用（）制成的光电器件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管。 A: 外光电效应 B: 压电效应 C: 内光电效应 D: 光生伏特效应