在截止频率处，一阶RC低通电路的相移为（ ）；一阶高通电路的相移为（ ）。
A: 均为45°。
B: 均为-45°
C: 45°、-45°
D: -45°、45°
A: 均为45°。
B: 均为-45°
C: 45°、-45°
D: -45°、45°
举一反三
- 单时间常数RC电路如图所示，在截止频率处，将产生（）。[img=227x147]1802ed653ff42e5.png[/img] A: 45°的超前相移 B: 45°的滞后相移 C: 90°的超前相移 D: 90°的滞后相移
- 单级共发射极放大电路中,在上限频率处产生的附加相移为( )。 A: -45° B: 0° C: 45° D: 180°
- 某放大电路的电压放大倍数的频率特性为[img=157x79]17da5e7acd323a6.png[/img][img=60x20]17da5b67a13640a.png[/img]时附加相移为( )度。 A: 45 B: 90 C: -45
- 某放大电路的电压放大倍数的频率特性为[img=157x79]17da5e7acd323a6.png[/img],[img=67x23]17da5e7af7adc99.png[/img]时附加相移为( )度 A: 45 B: -90 C: -45
- 当[img=60x20]17da5b67a13640a.png[/img]时,附加相移为( )度。[img=337x183]17da5b619159e76.png[/img] A: -45 B: 45 C: 90