下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS = 0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（ ）。[img=591x417]1803296eaa541b2.png[/img]和[img=647x443]1803296ebdfa0b2.png[/img]
A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。
B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。
C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。
D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。
B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。
C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。
D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
举一反三
- 下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管,漏源电压UDS=0时,栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是()。和 A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。 B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。 C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。 D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
- 下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS = 0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（ ）。 和 da018854a898b6286384713faa067d72.png6bc9f2c5497ffbe8a3e7db8f2cfa1082.png
- 4．耗尽型N沟道FET的导电载流子是 ，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压UGS 叫做 。
- 当ugs=0时,漏源间存在导电沟道的称为耗尽型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为增强型场效应管
- N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS>;0。