晶粒生长是晶界移动的结果，晶界移动的方向是（）。
举一反三
- 材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率与气孔移动速率,当()时,晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb< D: 二者没有关系
- 在烧结中、后期的晶粒生长过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界移动的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。 A: 曲率中心 B: 曲率中心相反 C: 曲率中心垂直 D: 任意
- 再结晶完成后继续加热，晶粒长大，晶界的移动方向指向（ ）。 A: 晶界弧线的切线 B: 晶界曲率中心 C: 晶界曲率半径 D: 晶界边缘
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18032fe8cb9ff0a.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18032fe8d3c89dc.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: VbVp C: VbVp D: 二者没有关系
- 晶粒长大过程中，晶界向曲率半径小的方向移动