PN结外加正向电压时，正确的说法是（ ）。
A: N区内的多子电子是顺着外电场的方向运动
B: N区内的杂质正离子是顺着外电场的方向运动
C: P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动
D: P区内的杂质负离子是逆着外电场的方向运动
A: N区内的多子电子是顺着外电场的方向运动
B: N区内的杂质正离子是顺着外电场的方向运动
C: P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动
D: P区内的杂质负离子是逆着外电场的方向运动
C
举一反三
- PN结外加正向电压时，下面错误的说法是（ ）。 A: N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄 B: P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄 C: N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布 D: P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布
- PN结空间电荷区内的电场方向由 p 区指向 n 区。
- PN结空间电荷区内的电场方向由 p 区指向 n 区。 A: 正确 B: 错误
- PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向,有利于多数载流子的运动而不利少数载流子的运动;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向,有利于少子的运动而不利于多子的运动。
- PN结的内建电场的方向是（）？ A: 从N区到P区方向； B: 从P区到N区方向； C: 电子移动的方向； D: 空穴运动的方向；
内容
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关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有 A: 电子会顺着浓度差方向扩散 B: 空穴会顺着浓度差方向扩散 C: 电子会顺着电场方向漂移 D: 空穴会顺着电场方向漂移
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在外电场作用下，本证半导体中带正电的空穴将顺着电场方向做定向运动，形成空穴电流
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PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
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以下关于PN结的说法正确的是？ A: PN结的N区产生负离子，P区产生正离子 B: PN结具有单向导电性 C: PN结的内电场方向由P区指向N区 D: 对PN结施加反向电压，内外电场方向相反，PN结变薄
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PN结内电场的方向是P→N，因为P区带负电的离子，N区带正电的离子。