• 2022-06-11 问题

    在点电荷+q的电场中,无穷远处为电势零点,则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π

    在点电荷+q的电场中,无穷远处为电势零点,则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π

  • 2022-06-10 问题

    正电荷q均匀分布在半径为R的圆环上,则圆环中心的电场强度 A: q/(4πεR²) B: 0 C: -q/(4πεR²) D: q/(2εR²)

    正电荷q均匀分布在半径为R的圆环上,则圆环中心的电场强度 A: q/(4πεR²) B: 0 C: -q/(4πεR²) D: q/(2εR²)

  • 2022-05-30 问题

    4平面任意力系先后向平面内一点O 简化,下列属于平衡的是( )。 A: M’O=0,R’ =0 B: M’O≠0,R’ =0 C: M’O≠0,R’≠ 0 D: M’O=0,R’≠ 0

    4平面任意力系先后向平面内一点O 简化,下列属于平衡的是( )。 A: M’O=0,R’ =0 B: M’O≠0,R’ =0 C: M’O≠0,R’≠ 0 D: M’O=0,R’≠ 0

  • 2022-06-07 问题

    如图5所示,半径为R的均匀带电球面,总电量为Q,设无穷远处的电势为零,则球内距离球心为r的P点处的电场强度的大小和电势为______。[img=176x159]180331c0c509049.png[/img] A: E = 0 ,U = Q/(4πεR) B: E = 0 ,U = Q/(4πεr) C: E = Q/(4πε2) ,U = Q/(4πεr) D: E = 0 ,U = 0

    如图5所示,半径为R的均匀带电球面,总电量为Q,设无穷远处的电势为零,则球内距离球心为r的P点处的电场强度的大小和电势为______。[img=176x159]180331c0c509049.png[/img] A: E = 0 ,U = Q/(4πεR) B: E = 0 ,U = Q/(4πεr) C: E = Q/(4πε2) ,U = Q/(4πεr) D: E = 0 ,U = 0

  • 2022-05-27 问题

    请分析下列截交线的边数[img=400x667]180328b186d8547.png[/img] A: P:4;Q:5;R:4 B: P:3;Q:4;R:3 C: P:4;Q:5;R:5 D: P:4;Q:5;R:3

    请分析下列截交线的边数[img=400x667]180328b186d8547.png[/img] A: P:4;Q:5;R:4 B: P:3;Q:4;R:3 C: P:4;Q:5;R:5 D: P:4;Q:5;R:3

  • 2022-05-26 问题

    与命题公式P→(Q→R)等值的公式是下列4个中的哪一个?(1)(P∨Q)→R  (2)(P∧Q)→R(3)(P→Q)→R  (4)P→(Q∨R)

    与命题公式P→(Q→R)等值的公式是下列4个中的哪一个?(1)(P∨Q)→R  (2)(P∧Q)→R(3)(P→Q)→R  (4)P→(Q∨R)

  • 2022-07-28 问题

    已知①∈R;②∈Q;③0={0};④0∉N;⑤π∈Q;⑥-3∈Z.其中正确的个数为________个. A: 3 B: 4 C: 5 D: 0

    已知①∈R;②∈Q;③0={0};④0∉N;⑤π∈Q;⑥-3∈Z.其中正确的个数为________个. A: 3 B: 4 C: 5 D: 0

  • 2022-05-28 问题

    设A,B,C,D是四个4阶矩阵,其中A≠O,|B|≠0,|C|≠0,D≠O,且满足:ABCD=O,若r A: +r B: +r C: +r D: =r.则r的取值范围是 &nbs

    设A,B,C,D是四个4阶矩阵,其中A≠O,|B|≠0,|C|≠0,D≠O,且满足:ABCD=O,若r A: +r B: +r C: +r D: =r.则r的取值范围是 &nbs

  • 2022-11-04 问题

    均匀带电细圆环,半径为R,带电量为q,则其圆心处的电势为 A: q/4πε0R2 B: q/4πε0R C: q/2πε0R D: 0

    均匀带电细圆环,半径为R,带电量为q,则其圆心处的电势为 A: q/4πε0R2 B: q/4πε0R C: q/2πε0R D: 0

  • 2022-06-30 问题

    关于“坏死型Q波”描述正确的是: A: Q波深度<同导联R/4 B: Q波时间≥0.04s C: Q波时间≥0.03s,深度≥同导联R/4 D: Q波时间≥0.05s,深度≥同导联R/4 E: Q波时间≥0.06s,深度≥同导联R/4

    关于“坏死型Q波”描述正确的是: A: Q波深度<同导联R/4 B: Q波时间≥0.04s C: Q波时间≥0.03s,深度≥同导联R/4 D: Q波时间≥0.05s,深度≥同导联R/4 E: Q波时间≥0.06s,深度≥同导联R/4

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