技术功wt= 1/2 Δc2 +gΔZ+ws
技术功wt= 1/2 Δc2 +gΔZ+ws
高级优质碳素钢S、P的含量分别为（ ）? WS≤0.035%、WP≤0.035%|WS≤0.030%、WP≤0.020%|WS≤0.020%、WP≤0.030%|WS≤0.030%、WP≤0.030%
高级优质碳素钢S、P的含量分别为（ ）? WS≤0.035%、WP≤0.035%|WS≤0.030%、WP≤0.020%|WS≤0.020%、WP≤0.030%|WS≤0.030%、WP≤0.030%
对于同一流体，其体积流量（VS）与质量流量（WS）的关系为（ ）。（设ρ为流体密度） A: VS B: VS=ρ/WS C: WS D: WS
对于同一流体，其体积流量（VS）与质量流量（WS）的关系为（ ）。（设ρ为流体密度） A: VS B: VS=ρ/WS C: WS D: WS
普通钢的硫含量（）、磷含量（） A: ws≤0.045%；wP≤0.045% B: ws≤0.035%；wP≤0.035% C: ws≤0.020%；wP≤0.020% D: ws=0；wP=0
普通钢的硫含量（）、磷含量（） A: ws≤0.045%；wP≤0.045% B: ws≤0.035%；wP≤0.035% C: ws≤0.020%；wP≤0.020% D: ws=0；wP=0
金属与N型半导体形成阻挡层，满足（） A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
金属与N型半导体形成阻挡层，满足（） A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是（ ）。 A: Wm＞Ws，n型 B: Wm＞Ws，p型 C: Wm＜Ws，n型 D: Wm＜Ws，p型
金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是（ ）。 A: Wm＞Ws，n型 B: Wm＞Ws，p型 C: Wm＜Ws，n型 D: Wm＜Ws，p型
金属与n 型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ ） A: Wm＞Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm ＜Ws
金属与n 型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ ） A: Wm＞Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm ＜Ws
在标准M/M/1排队系统中，平均队长（LS ）、平均排队长（Lq ）、平均逗留时间（Ws）、平均等待时间（Wq）之间的关系是： A: LS < Lq ; Ws <Wq B: LS > Lq ; Ws <Wq C: LS < Lq ; Ws >Wq D: LS > Lq ; Ws >Wq
在标准M/M/1排队系统中，平均队长（LS ）、平均排队长（Lq ）、平均逗留时间（Ws）、平均等待时间（Wq）之间的关系是： A: LS < Lq ; Ws <Wq B: LS > Lq ; Ws <Wq C: LS < Lq ; Ws >Wq D: LS > Lq ; Ws >Wq
设计一个数字低通滤波器，该滤波器的通带截止频率为1kHz，阻带截止频率为1.5kHz，采样频率为8kHz，则对应数字截止频率wp和ws分别为多少？ A: wp=0.25π，ws=0.375π B: wp=0.125π，ws=0.1875π C: wp=0.25，ws=0.375 D: wp=0.125，ws=0.1875
设计一个数字低通滤波器，该滤波器的通带截止频率为1kHz，阻带截止频率为1.5kHz，采样频率为8kHz，则对应数字截止频率wp和ws分别为多少？ A: wp=0.25π，ws=0.375π B: wp=0.125π，ws=0.1875π C: wp=0.25，ws=0.375 D: wp=0.125，ws=0.1875
挣值法的3个基本参数不包括（） A: WS B: WP C: WS D: WP
挣值法的3个基本参数不包括（） A: WS B: WP C: WS D: WP