上一代V5中,采用ARM处理器的产品有（） A: OceanStor 5800 V5 B: OceanStor 5300 V5 C: OceanStor 5500 V5 D: OceanStor 5600 V5
上一代V5中,采用ARM处理器的产品有（） A: OceanStor 5800 V5 B: OceanStor 5300 V5 C: OceanStor 5500 V5 D: OceanStor 5600 V5
智慧职教: （第七章）已知某有向图G=（V，E），其中V={V0，V1，V 2，V 3，V 4，V 5}，E={< V0，V1>，< V0，V 3>，< V1，V 5>，< V 2，V0>，< V 2，V 3>，< V 3，V 4>，< V 4，V1>，< V 4，V 5>}，G的拓扑序列为（ ）。
智慧职教: （第七章）已知某有向图G=（V，E），其中V={V0，V1，V 2，V 3，V 4，V 5}，E={< V0，V1>，< V0，V 3>，< V1，V 5>，< V 2，V0>，< V 2，V 3>，< V 3，V 4>，< V 4，V1>，< V 4，V 5>}，G的拓扑序列为（ ）。
【单选题】底面半径为 R高为R的圆锥体积为V 1 ,半径为 R的半球体积是V 2 ,底面半径为 R高为R的圆柱体积为V 3 ,则有() A. V 1 :V 2 :V 3 =1:4:9 B. V 1 :V 2 :V 3 =1:2:3 C. V 1 :V 2 :V 3 =1:3:5 D. A.V 2 2 =V 1 V 3
【单选题】底面半径为 R高为R的圆锥体积为V 1 ,半径为 R的半球体积是V 2 ,底面半径为 R高为R的圆柱体积为V 3 ,则有() A. V 1 :V 2 :V 3 =1:4:9 B. V 1 :V 2 :V 3 =1:2:3 C. V 1 :V 2 :V 3 =1:3:5 D. A.V 2 2 =V 1 V 3
以下备份介质中，支持数据重删功能的有（）。 A: S2600V3 B: N8500 C: OceanStor6800V3 D: FusionStorage
以下备份介质中，支持数据重删功能的有（）。 A: S2600V3 B: N8500 C: OceanStor6800V3 D: FusionStorage
三向应力状态下的应变能密度是( )。 A: vε=σ1ε1+σ2ε2+σ3ε3 B: vε=(σ1ε1+σ2ε2+σ3ε3)/2 C: vε=(σ1ε1+σ2ε2+σ3ε3)/3 D: vε=(σ1ε1+σ2ε2+σ3ε3)/4
三向应力状态下的应变能密度是( )。 A: vε=σ1ε1+σ2ε2+σ3ε3 B: vε=(σ1ε1+σ2ε2+σ3ε3)/2 C: vε=(σ1ε1+σ2ε2+σ3ε3)/3 D: vε=(σ1ε1+σ2ε2+σ3ε3)/4
函数 $y=\cos^3(2x+1)$ 的复合过程为 （ ）. A: $y=\cos u, u=v^3, v=2x+1$ B: $y=u^3, u=\cos v, v=2x+1$
函数 $y=\cos^3(2x+1)$ 的复合过程为 （ ）. A: $y=\cos u, u=v^3, v=2x+1$ B: $y=u^3, u=\cos v, v=2x+1$
在华为 OceanStor V3 中，Thick LUN 向存储系统申请空间的单位是什么？
在华为 OceanStor V3 中，Thick LUN 向存储系统申请空间的单位是什么？
下列球体体积计算公式中，正确的是( )。 A: V=4/3πR3 B: V=4/3πR2 C: V=1/3πR2
下列球体体积计算公式中，正确的是( )。 A: V=4/3πR3 B: V=4/3πR2 C: V=1/3πR2
合成氨：3H2+N2→2NH3，其反应速率可以分别用v（H2）、v（N2）、v（NH3）表示，正确的是 A: v（H2）= v（N2） B: v（NH3）=2/3 v（H2） C: v（H2）= v（N2）= v（NH3） D: v（H2）=3 v（N2）
合成氨：3H2+N2→2NH3，其反应速率可以分别用v（H2）、v（N2）、v（NH3）表示，正确的是 A: v（H2）= v（N2） B: v（NH3）=2/3 v（H2） C: v（H2）= v（N2）= v（NH3） D: v（H2）=3 v（N2）
比大小：<;v^3>;_____<;v>;<;v^2>; A: >; B: = C: <; D: 无法判断
比大小：<;v^3>;_____<;v>;<;v^2>; A: >; B: = C: <; D: 无法判断