硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
TTL与非门输入端的电压超过 V时，输出端将跳变为低电平。 A: 0.7 V B: 1.4 V C: 0.3 V D: 2.1V
TTL与非门输入端的电压超过 V时，输出端将跳变为低电平。 A: 0.7 V B: 1.4 V C: 0.3 V D: 2.1V
G30V电源范围：+30V±V（） A: 1.2 B: 1.3 C: 1.4 D: 1.5
G30V电源范围：+30V±V（） A: 1.2 B: 1.3 C: 1.4 D: 1.5
内阻为0.1Ω、电动势为1.5 V的电源两端接一个1.4 Ω的电阻上的压降为( )V
内阻为0.1Ω、电动势为1.5 V的电源两端接一个1.4 Ω的电阻上的压降为( )V
碱性蓄电池充电完成后，测量单体电压不低于V（） A: 1.1 B: 1.2 C: 1.3 D: 1.4
碱性蓄电池充电完成后，测量单体电压不低于V（） A: 1.1 B: 1.2 C: 1.3 D: 1.4
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
已知载频f0=1MHz,调制信号vΩ(t) = 0.2cos2π×103t (V),调频灵敏度kf =2000π rad/s∙V。若调制信号变为vΩ(t) = 20cosπ×103t (V),调频后带宽变为( )。 A: 41kHz B: (80π+1) kHz C: 1.4 kHz D: 2.4 kHz
已知载频f0=1MHz,调制信号vΩ(t) = 0.2cos2π×103t (V),调频灵敏度kf =2000π rad/s∙V。若调制信号变为vΩ(t) = 20cosπ×103t (V),调频后带宽变为( )。 A: 41kHz B: (80π+1) kHz C: 1.4 kHz D: 2.4 kHz
已知TTL与非门电源电压为5V，则它的输出高电平（）V。 A: 3.6 B: 0 C: 1.4 D: 5
已知TTL与非门电源电压为5V，则它的输出高电平（）V。 A: 3.6 B: 0 C: 1.4 D: 5
碳纳米管一般直径为( )。 A: 0.8~1.4 nn B: 0.8~1.4 nm C: 0.8~1.4 μm D: 0.8~1.4 mm
碳纳米管一般直径为( )。 A: 0.8~1.4 nn B: 0.8~1.4 nm C: 0.8~1.4 μm D: 0.8~1.4 mm
下图是低频功率放大器，在理想情况下，A、B两点之间的电压约为（） V。[img=529x234]1803db49e7a46b4.png[/img] A: 2.8 B: 1.4 C: 11.7 D: 0.7
下图是低频功率放大器，在理想情况下，A、B两点之间的电压约为（） V。[img=529x234]1803db49e7a46b4.png[/img] A: 2.8 B: 1.4 C: 11.7 D: 0.7