电场中有A、B两点，A点的电势φA＝30V，B点的电势φB＝10V，一个电子由B点运动到A点的过程中，下面几种说法中正确的是( )。 A: 静电力对电子做功20eV，电子的电势能减少了20eV B: 电子克服静电力做功20eV，电子的电势能增加了20eV C: 静电力对电子做功20eV，电子的电势能增加了20eV D: 电子克服静电力做功20eV，电子的电势能减少了20eV

电场中有A、B两点,A点的电势φA=30<br/>V,B点的电势φB=10<br/>V,一个电子由A点运动到B点的过程中,下列说法中正确的是( ) A: 电场力对电子做功20<br/>eV,电子的电势能减少了20<br/>eV B: 电子克服电场力做功20<br/>eV,电子的电势能减少了20<br/>eV C: 电场力对电子做功20<br/>eV,电子的电势能增加了20<br/>eV D: 电子克服电场力做功20<br/>eV,电子的电势能增加了20<br/>eV

氢原子基态的电离能为 A: -11.6 eV B: 3.4 eV C: 13.6 eV D: 9.35 eV

如果氢原子的电离能是13.6 eV， 则Li2+ 的电离能为 （ ） A: 13.6 eV B: 27.2 eV C: 54.4 eV D: 122.4 eV

如果氢原子的电离能为13.6 ev ,则He+的电离能应为 : A: 13.6 ev B: 6.8 ev C: 54.4 ev D: 79.0 ev

在气体放电管中，用能量为12.09 eV的电子去轰击处于基态的氢原子，此时氢原子所能发射的光子的能量只能是［ ］。 A: 12.09 eV B: 10.2 eV C: 12.09 eV，10.2 eV和 1.89 eV D: 12.09 eV，10.2 eV和 3.4 eV

本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV

‌如果氢原子的电离能为13.6 eV ，则[img=34x21]17de80b03beced9.png[/img]的电离能应为‌ A: 13.6 eV B: 6.8 eV C: 54.4 eV D: 79.0 eV

当入射光能量为1300 eV，逸出材料表面的电子动能测得为550 eV，功函数为5 eV，则该被激发电子的结合能为 ( ) A: 1850 eV B: 1845 eV C: 755 eV D: 745 eV

半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV