在质谱电离源中，______ 是硬电离技术，______ 、化学电离、大气压化学电离、快速原子轰击和基质辅助激光解析电离是软电离技术。
在质谱电离源中，______ 是硬电离技术，______ 、化学电离、大气压化学电离、快速原子轰击和基质辅助激光解析电离是软电离技术。
下列离子源中，不属于软离子源的是 （ ） A: 大气压化学电离源 B: 基质辅助激光解析电离源 C: 电子轰击电离源 D: 化学电离源
下列离子源中，不属于软离子源的是 （ ） A: 大气压化学电离源 B: 基质辅助激光解析电离源 C: 电子轰击电离源 D: 化学电离源
质谱仪的离子源种类很多，金属元素的测定主要采用的离子源是 A: 场电离 B: 电喷雾电离 C: 电感偶合等离子体 D: 基质辅助激光解析电离 E: 大气压电离
质谱仪的离子源种类很多，金属元素的测定主要采用的离子源是 A: 场电离 B: 电喷雾电离 C: 电感偶合等离子体 D: 基质辅助激光解析电离 E: 大气压电离
质谱分析中，EI离子源表示的电离方法是（）。 A: 电子轰击离子化 B: 化学电离 C: 激光解析 D: 热喷雾离子化
质谱分析中，EI离子源表示的电离方法是（）。 A: 电子轰击离子化 B: 化学电离 C: 激光解析 D: 热喷雾离子化
ESI-MS表示： A: 电子轰击质谱 B: 化学电离质谱 C: 电喷雾质谱 D: 激光解析质谱
ESI-MS表示： A: 电子轰击质谱 B: 化学电离质谱 C: 电喷雾质谱 D: 激光解析质谱
带电粒子的产生有 电离、光电离、热电离、表面电离
带电粒子的产生有 电离、光电离、热电离、表面电离
由光辐射引起的电离是（）。 A: 碰撞电离 B: 光电离 C: 热电离 D: 表面电离
由光辐射引起的电离是（）。 A: 碰撞电离 B: 光电离 C: 热电离 D: 表面电离
带电离子的产生主要有（） A: 碰撞电离 B: 光电离 C: 热电离 D: 表面电离
带电离子的产生主要有（） A: 碰撞电离 B: 光电离 C: 热电离 D: 表面电离
带电质点在电场作用下运动，撞击中性气体分子引起的电离称为（） A: 碰撞电离 B: 光电离 C: 热电离 D: 表面电离
带电质点在电场作用下运动，撞击中性气体分子引起的电离称为（） A: 碰撞电离 B: 光电离 C: 热电离 D: 表面电离
先导通道的形成是以()的出现为特征。 A: 碰撞电离 B: 表现电离 C: 热电离 D: 光电离
先导通道的形成是以()的出现为特征。 A: 碰撞电离 B: 表现电离 C: 热电离 D: 光电离