在半波整流电容滤波电路中,若负载两端的平均电压为4.5V,则二极管的最高反向电压为( )。 A: 4.5V B: 6.36V C: 9V D: 12.73V
在半波整流电容滤波电路中,若负载两端的平均电压为4.5V,则二极管的最高反向电压为( )。 A: 4.5V B: 6.36V C: 9V D: 12.73V
直径为d=100mm的实心园轴,受扭矩T=10kN·m作用,则横断面上的最大切应力为( )MPa。 A: 25.46 B: 12.73 C: 50.96 D: 101.86。
直径为d=100mm的实心园轴,受扭矩T=10kN·m作用,则横断面上的最大切应力为( )MPa。 A: 25.46 B: 12.73 C: 50.96 D: 101.86。
直径为d=100mm的实心园轴,受扭矩T=10kN·m作用, 则横断面上的最大切应力为( )MPa。 A: 25.46; B: 12.73; C: 50.93; D: 101.86。
直径为d=100mm的实心园轴,受扭矩T=10kN·m作用, 则横断面上的最大切应力为( )MPa。 A: 25.46; B: 12.73; C: 50.93; D: 101.86。
图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V
已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V
白兰地的酒精度为（）。 A: 43%（V/V） B: 40%（V/V） C: 45%（V/V） D: 52%（V/V）
白兰地的酒精度为（）。 A: 43%（V/V） B: 40%（V/V） C: 45%（V/V） D: 52%（V/V）
我国规定( )V、( )V、( )V、( ）V、( )V为安全电压。
我国规定( )V、( )V、( )V、( ）V、( )V为安全电压。