直流母线电压应保持在()范围内。 A: 200×(1±10%)V B: 220×(1±10%)V C: 200×(1±5%)V D: 220×(1±5%)V
直流母线电压应保持在()范围内。 A: 200×(1±10%)V B: 220×(1±10%)V C: 200×(1±5%)V D: 220×(1±5%)V
作四格表卡方检验,当N>40,且()时,应该使用校正公式。 A: T<5 B: T>5 C: T<1 D: T≥5 E: 1<T<5
作四格表卡方检验,当N>40,且()时,应该使用校正公式。 A: T<5 B: T>5 C: T<1 D: T≥5 E: 1<T<5
本次实验中使用的数字芯片供电电压应为 A: ±1 2V B: ±5 V C: +5 V D: -5 V
本次实验中使用的数字芯片供电电压应为 A: ±1 2V B: ±5 V C: +5 V D: -5 V
在下列五个物理量中: (1) (əV/ənB)T,p,nC (2) (əμB/ənB)T,p,nC (3) (əH/ənB)s,p,nC (4) (əA/ənB)T,p,nC (5) (əG/ənB)T,p,nC ,关于下述结论,正确的是( )。 A: (1)、(4)、(5) 是偏摩尔量;(1)、(3) 是化学势 B: (1)、(4)、(5) 是偏摩尔量;(3)、(5) 是化学势 C: (1)、(4)、(5) 是偏摩尔量;(2)、(3) 是化学势 D: (1)、(2)、(4) 是偏摩尔量;(3)、(5) 是化学势
在下列五个物理量中: (1) (əV/ənB)T,p,nC (2) (əμB/ənB)T,p,nC (3) (əH/ənB)s,p,nC (4) (əA/ənB)T,p,nC (5) (əG/ənB)T,p,nC ,关于下述结论,正确的是( )。 A: (1)、(4)、(5) 是偏摩尔量;(1)、(3) 是化学势 B: (1)、(4)、(5) 是偏摩尔量;(3)、(5) 是化学势 C: (1)、(4)、(5) 是偏摩尔量;(2)、(3) 是化学势 D: (1)、(2)、(4) 是偏摩尔量;(3)、(5) 是化学势
【单选题】以下哪种情况使用连续校正卡方公式( ) A: T<5 B: 1<=T<5且N>40 C: 1<=T<5或N>40 D: T<1或N<40 E: T<5且N>40
【单选题】以下哪种情况使用连续校正卡方公式( ) A: T<5 B: 1<=T<5且N>40 C: 1<=T<5或N>40 D: T<1或N<40 E: T<5且N>40
作四格表卡方检验,当N≥40,且__________时,应该使用校正公式 A: T≤5 B: T≥5 C: T≤1 D: 1≤T<5
作四格表卡方检验,当N≥40,且__________时,应该使用校正公式 A: T≤5 B: T≥5 C: T≤1 D: 1≤T<5
四格表X A: n≥40 B: T≥5 C: n≥40且T≥5 D: n≥40但1≤T<5 E: n<40或T<1
四格表X A: n≥40 B: T≥5 C: n≥40且T≥5 D: n≥40但1≤T<5 E: n<40或T<1
t=0:1:5产生行向量t,各元素为0、1、2、3、4、5
t=0:1:5产生行向量t,各元素为0、1、2、3、4、5
四格表χ2检验的校正公式应用条件为()。 A: n>40且T>5 B: n<40且T>5 C: n>40且1<T<5 D: n<40且1<T<5 E: n>40且T<1
四格表χ2检验的校正公式应用条件为()。 A: n>40且T>5 B: n<40且T>5 C: n>40且1<T<5 D: n<40且1<T<5 E: n>40且T<1
u=- 10sin(5πt+ 10)V超前i= 5cos(5πt - 150)A的相位差是
u=- 10sin(5πt+ 10)V超前i= 5cos(5πt - 150)A的相位差是