在高频转导中所用的双重溶源菌裂解物必须是（）。 A: 高m.o.i的HFT裂解物 B: 低m.o.i的HFT裂解物 C: 高m.o.i的LFT裂解物 D: 低m.o.i的LFT裂解物

电气参数的测试设备有调压器、数字式电压表、标准电阻、自制lft/100W精度为（）的线绕电阻、示波器等。 A: 0.1% B: 0.5% C: 1% D: 1.5%

电气参数的测试设备有调压器、数字式电压表、标准电阻、自制lft/100W精度为（）的线绕电阻、示波器等。 A: A0.1% B: B0.5% C: C1% D: D1.5%

以下不能将变量m清零的表达式是（ ）。: m=m&0/#/m=m&~m/#/m=m^m/#/m=m|m

<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/6360CA697BBFE0086EF797FB70C5CF39.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100" />? ×、m、×、×、×、M|×、M、m、×、×、×|×、m、×、×、M、×|×、×、m、×、×、M

以下哪种成型工艺直接在成型技术过程中省略了中间半成品的制作过程？（ ） A: 纤维增强热塑性复合材料片材（GMT） B: 长纤维增强热塑性复合材料粒料（LFT-G） C: 纤维增强热塑性复合材料直接在线成型工艺（LFT-D） D: 长纤维增强热塑性复合材料片材（LFT-M）

对于报文M若找到M’使_____，即找到碰撞能够构成对哈希函数H的攻击。（ ） A: M=M且H(M’)＝H(M) B: M’≠M且H(M’) ≠H(M) C: M’≠M但H(M’)＝H(M) D: M’=M但H(M’) ≠H(M)

若找到_____即找到碰撞能够构成对哈希的攻击（） A: M’=M且H(M’)＝H(M) B: M’≠M且H(M’) ≠H(M) C: M’≠M但H(M’)＝H(M) D: M’=M但H(M’) ≠H(M)

用EDTA滴定金属M， 若M分别与A，B，C三种络合剂发生副反应，此时计算M的公式是（ ）。 A: αM =αM(A)+αM(B)+αM(C)-1 B: αM =αM(A)+αM(B)+αM(C)-2 C: αM =αM(A)+αM(B)+αM(C)-3 D: αM =αM(A)+αM(B)+αM(C)

删除主目录下以m结尾的文件，使用（）命令 A: m ~/?m B: m ~/*m C: m ~/m D: m ~/m*