下列数据为四位有效数字的有( ) A: 0.03200 B: 0.020 C: 3.2 乘以 104 D: 100.02%
下列数据为四位有效数字的有( ) A: 0.03200 B: 0.020 C: 3.2 乘以 104 D: 100.02%
容量分析工作基准物（D级）主要成分的含量为（）。 A: 99.98％～100.00％ B: 99.98％～100.02％ C: 99.95％～100.05％ D: 99.95％～100.00％
容量分析工作基准物（D级）主要成分的含量为（）。 A: 99.98％～100.00％ B: 99.98％～100.02％ C: 99.95％～100.05％ D: 99.95％～100.00％
容量分析工作基准物（D级）主要成分的含量为（）。 A: A99.98％～100.00％ B: B99.98％～100.02％ C: C99.95％～100.05％ D: D99.95％～100.00％
容量分析工作基准物（D级）主要成分的含量为（）。 A: A99.98％～100.00％ B: B99.98％～100.02％ C: C99.95％～100.05％ D: D99.95％～100.00％
测量电阻1上的电压为110.11V，消耗功率为15.2W，电阻2上电压为100.02V消耗功率为30W，则两阴串联后阻值为多少？
测量电阻1上的电压为110.11V，消耗功率为15.2W，电阻2上电压为100.02V消耗功率为30W，则两阴串联后阻值为多少？
测量电阻1上电压为110.11V，消耗功率为15.2W，电阻2上电压为100.02V，消耗功率为30W，则两电阻串联后的阻值为多少？
测量电阻1上电压为110.11V，消耗功率为15.2W，电阻2上电压为100.02V，消耗功率为30W，则两电阻串联后的阻值为多少？
图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V
已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V