如图所示电路中的电流I为______,功率P为__ ____。 A: 2 A/20 W B: 2 A/50 W C: 2 A/0 W D: 0 A/0 W
如图所示电路中的电流I为______,功率P为__ ____。 A: 2 A/20 W B: 2 A/50 W C: 2 A/0 W D: 0 A/0 W
某地磁差资料为：磁差偏西0°30＇（1987），年差＋2＇.0，则该地1997年的磁差为：（） A: 0°10＇E B: 0°10＇W C: 0°50＇E D: 0°50＇W
某地磁差资料为：磁差偏西0°30＇（1987），年差＋2＇.0，则该地1997年的磁差为：（） A: 0°10＇E B: 0°10＇W C: 0°50＇E D: 0°50＇W
在平面应变问题中（取纵向作z轴）（）。 A: σ=0，w=0；ε=0 B: σ≠0，w≠0；ε≠0 C: σ=0，w≠0；ε=0 D: σ≠0，w=0；ε=0
在平面应变问题中（取纵向作z轴）（）。 A: σ=0，w=0；ε=0 B: σ≠0，w≠0；ε≠0 C: σ=0，w≠0；ε=0 D: σ≠0，w=0；ε=0
理想气体自由膨胀过程中 A: W = 0，Q＞0，DU＞0，DH=0 B: W＞0，Q=0，DU＞0，DH＞0 C: W＜0，Q＞0，DU=0，DH=0 D: W = 0，Q=0，DU=0，DH=0
理想气体自由膨胀过程中 A: W = 0，Q＞0，DU＞0，DH=0 B: W＞0，Q=0，DU＞0，DH＞0 C: W＜0，Q＞0，DU=0，DH=0 D: W = 0，Q=0，DU=0，DH=0
理想气体自由膨胀过程中（） A: W=0，Q〉0，ΔU〉0，ΔH=0 B: W〉0，Q=0，ΔU〉0，ΔH〉0 C: W〈0，Q〉0，ΔU=0，ΔH=0 D: W=0，Q=0，ΔU=0，ΔH=0
理想气体自由膨胀过程中（） A: W=0，Q〉0，ΔU〉0，ΔH=0 B: W〉0，Q=0，ΔU〉0，ΔH〉0 C: W〈0，Q〉0，ΔU=0，ΔH=0 D: W=0，Q=0，ΔU=0，ΔH=0
固定端处的边界条件是( )。 A: w = 0 B: θ= 0 C: w = 0 且θ= 0 D: w = 0 或θ= 0
固定端处的边界条件是( )。 A: w = 0 B: θ= 0 C: w = 0 且θ= 0 D: w = 0 或θ= 0
【单选题】以下函数按每行8个输出数组中的数据,下划线处应填入的语句是 ()。 void fun(int *w,intn) { int i; for(i=0;i { printf("%d",w[i]); _____________ } printf(" "); } A. if(i/8==0) printf(" "); B. if(i/8==0) continue; C. if(i%8==0) printf(" "); D. if(i%8==0) continue;
【单选题】以下函数按每行8个输出数组中的数据,下划线处应填入的语句是 ()。 void fun(int *w,intn) { int i; for(i=0;i { printf("%d",w[i]); _____________ } printf(" "); } A. if(i/8==0) printf(" "); B. if(i/8==0) continue; C. if(i%8==0) printf(" "); D. if(i%8==0) continue;
固定铰支座处的边界条件是( )。 A: θ= 0 B: w = 0 C: w = 0 且θ= 0 D: w = 0 或θ= 0
固定铰支座处的边界条件是( )。 A: θ= 0 B: w = 0 C: w = 0 且θ= 0 D: w = 0 或θ= 0
在绝热钢瓶中发生一个化学反应，温度升高，压力增大，则（ ） A: Q＞0，W＞0，ΔU＞0 B: Q=0，W=0，ΔU=0 C: Q=0，W＞0，ΔU＜0 D: Q＞0，W=0，ΔU=0
在绝热钢瓶中发生一个化学反应，温度升高，压力增大，则（ ） A: Q＞0，W＞0，ΔU＞0 B: Q=0，W=0，ΔU=0 C: Q=0，W＞0，ΔU＜0 D: Q＞0，W=0，ΔU=0
设Z坐标系中的垂直速度为W，P坐标系中的垂直速度为ω，则上升运动对应有（） A: W＞0，＞0 B: W＞0，＜0 C: W＜0，＜0 D: W＜0，＞0
设Z坐标系中的垂直速度为W，P坐标系中的垂直速度为ω，则上升运动对应有（） A: W＞0，＞0 B: W＞0，＜0 C: W＜0，＜0 D: W＜0，＞0