u：少8；少.u：个少；个3：个u少3：个9个8：少u3u：少少少.如少l：8个u：少个少少l8：少个u；
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一阶电路中某元件电压u在t=0时为15 V，稳态时为8 V， 已知电路的时间常数为2 s，则t≥0时，则u(t)为（ ） A: u(t)=15e-2t B: u(t)=8(1-e-0.5t) C: u(t)=8+7e-0.5t D: u(t)=8-7e-0.5t
一阶电路中某元件电压u在t=0时为15 V，稳态时为8 V， 已知电路的时间常数为2 s，则t≥0时，则u(t)为（ ） A: u(t)=15e-2t B: u(t)=8(1-e-0.5t) C: u(t)=8+7e-0.5t D: u(t)=8-7e-0.5t
ASCII码是用 [u] [/u]位二进制编码表示符号的。 A: 6 B: 7 C: 8 D: 9
ASCII码是用 [u] [/u]位二进制编码表示符号的。 A: 6 B: 7 C: 8 D: 9
一梁在集中力 P 作用下,其变形能为 U 。若将力 P 改为 2P,其他条件不变,则其变形能为( )。 A: 2 U B: 4 U C: 8 U D: 16 U
一梁在集中力 P 作用下,其变形能为 U 。若将力 P 改为 2P,其他条件不变,则其变形能为( )。 A: 2 U B: 4 U C: 8 U D: 16 U
手8右七七u是（ ）右七2．
手8右七七u是（ ）右七2．
设全集U={x|x<8,x∈N}，用列举法表示U=（ ） A: {1,2,3,4,5,6,7,8} B: {1,2,3,4,5,6,7} C: {0,1,2,3,4,5,6,7,8} D: {0,1,2,3,4,5,6,7}
设全集U={x|x<8,x∈N}，用列举法表示U=（ ） A: {1,2,3,4,5,6,7,8} B: {1,2,3,4,5,6,7} C: {0,1,2,3,4,5,6,7,8} D: {0,1,2,3,4,5,6,7}
一个8GB的U盘的容量，等于8*1024*1024字节。
一个8GB的U盘的容量，等于8*1024*1024字节。
陆相沉积、氧化环境、风化层的Th/U大于（）。 A: 5 B: 6 C: 7 D: 8
陆相沉积、氧化环境、风化层的Th/U大于（）。 A: 5 B: 6 C: 7 D: 8
如图所示同,已知U1=3V,U2=5V,则总电压U=( )V。[img=217x107]17e43f57f75c8fe.png[/img] A: -8 B: -2 C: 2 D: 8
如图所示同,已知U1=3V,U2=5V,则总电压U=( )V。[img=217x107]17e43f57f75c8fe.png[/img] A: -8 B: -2 C: 2 D: 8
如图所示同,已知U1=3V,U2=5V,则总电压U=( )V。[img=217x107]17e0c20bef0c35f.png[/img] A: -8 B: -2 C: 2 D: 8
如图所示同,已知U1=3V,U2=5V,则总电压U=( )V。[img=217x107]17e0c20bef0c35f.png[/img] A: -8 B: -2 C: 2 D: 8