单片机复位后P0口~P3口的值分别为 A: 00H,00H,FFH,00H B: 00H,FFH,FFH,00H C: FFH,FFH,FFH,FFH D: 00H,00H,00H,00H
单片机复位后P0口~P3口的值分别为 A: 00H,00H,FFH,00H B: 00H,FFH,FFH,00H C: FFH,FFH,FFH,FFH D: 00H,00H,00H,00H
127D的原码和补码分别是 A: FFH, FFH B: 80H, FFH C: FFH, 00H D: 7FH, 7FH
127D的原码和补码分别是 A: FFH, FFH B: 80H, FFH C: FFH, 00H D: 7FH, 7FH
若（A）=FFH ,(PSW)=F0H,(SP)=60H,则依次执行指令PUSH ACC; POP PSW 之后，SP、A、PSW当中的内容分别是 A: 60H、FFH、FFH B: 61H，FFH、F0H C: 62H、F0H、FFH D: 60H、FFH、F0H
若（A）=FFH ,(PSW)=F0H,(SP)=60H,则依次执行指令PUSH ACC; POP PSW 之后，SP、A、PSW当中的内容分别是 A: 60H、FFH、FFH B: 61H，FFH、F0H C: 62H、F0H、FFH D: 60H、FFH、F0H
存储类型为data的变量的寻址范围为 A: 00H-FFH B: 00H-7FH C: 20H-2FH D: 20H-FFH
存储类型为data的变量的寻址范围为 A: 00H-FFH B: 00H-7FH C: 20H-2FH D: 20H-FFH
已知电路中：L1=10µH，L2=20µH，L3=20µH，求LAB=（）？ A: 20 B: 22 C: 25.5 D: 26.7
已知电路中：L1=10µH，L2=20µH，L3=20µH，求LAB=（）？ A: 20 B: 22 C: 25.5 D: 26.7
（5）单片机的工作寄存器区在内部RAM的（ ）单元。 A: 00~1FH B: 20~2FH C: 30~7FH D: 00~FFH
（5）单片机的工作寄存器区在内部RAM的（ ）单元。 A: 00~1FH B: 20~2FH C: 30~7FH D: 00~FFH
单片机上电复位后，堆栈指针SP的内容和P1口的内容为（） A: 0000H，00H B: 0003H，FFH C: 07H，FFH D: 0007H，FFH
单片机上电复位后，堆栈指针SP的内容和P1口的内容为（） A: 0000H，00H B: 0003H，FFH C: 07H，FFH D: 0007H，FFH
加热炉烘炉时，升温速度一般控制在（）。 A: 小于15℃/h B: 15～20℃/h C: 20～25℃/h D: 25～30℃/h
加热炉烘炉时，升温速度一般控制在（）。 A: 小于15℃/h B: 15～20℃/h C: 20～25℃/h D: 25～30℃/h
若EBX所指示的字节存储单元内容为FFH,则执行指令INCBYTEPTR[EBX]后,EBX所示字节单元内容为H
若EBX所指示的字节存储单元内容为FFH,则执行指令INCBYTEPTR[EBX]后,EBX所示字节单元内容为H
附加偏心距如何取值（） A: 20mm B: h/30 C: max（20, h/30） D: min（20, h/30）
附加偏心距如何取值（） A: 20mm B: h/30 C: max（20, h/30） D: min（20, h/30）