直径为d的圆形的截面抗弯系数( )。 A: W=πd^3/16 B: W=πd^3/32 C: W=πd^4/32 D: W=πd^4/64
直径为d的圆形的截面抗弯系数( )。 A: W=πd^3/16 B: W=πd^3/32 C: W=πd^4/32 D: W=πd^4/64
圆形截面的抗弯截面系数W。等于：() A: πD464 B: πD4/64（l-a）4 C: πd3/32 D: πd3/32（l-a）4
圆形截面的抗弯截面系数W。等于：() A: πD464 B: πD4/64（l-a）4 C: πd3/32 D: πd3/32（l-a）4
直径为d的实心圆轴抗扭截面系数W n=( )。 A: πd 3/16 B: πd 3/32 C: πd 4/16 D: πd 4/32
直径为d的实心圆轴抗扭截面系数W n=( )。 A: πd 3/16 B: πd 3/32 C: πd 4/16 D: πd 4/32
圆截面抗弯截面系数表达式正确的是（ ） A: W=πd³/32 B: W=πd³/16 C: W=πd²/32 D: W=πd²/16
圆截面抗弯截面系数表达式正确的是（ ） A: W=πd³/32 B: W=πd³/16 C: W=πd²/32 D: W=πd²/16
已知某轮推算船位C A: 32°E B: 32°W C: 328°W D: 30°E
已知某轮推算船位C A: 32°E B: 32°W C: 328°W D: 30°E
能够完全匹配字符串“kick”和“kick-off”的正则表达式包括： A: w{4}-w{3}|w{4} B: w{4}|w{4}-w{3} C: S+-S+|S+ D: w*?-?w*|w*
能够完全匹配字符串“kick”和“kick-off”的正则表达式包括： A: w{4}-w{3}|w{4} B: w{4}|w{4}-w{3} C: S+-S+|S+ D: w*?-?w*|w*
由欧拉公式，e^(wτ+π/4)j的实部是（） A: tg(wτ+π/4) B: sin(wτ+π/4) C: cos(wτ+π/4) D: ctg(wτ+π/4)
由欧拉公式，e^(wτ+π/4)j的实部是（） A: tg(wτ+π/4) B: sin(wτ+π/4) C: cos(wτ+π/4) D: ctg(wτ+π/4)
虽然jq(I2/2I－)＞ jq( Cu2+/Cu+)，从电位的大小看，应该I2氧化Cu＋，但是Cu+却能将I-氧化为I2。这是因为当I－浓度较大时, 2Cu2+＋ 4 I－ ＝ 2 CuI¯ ＋ I2 反应生成沉淀，使[Cu+]（此空填写增大还是降低），则jq( Cu2+/Cu+)会（此空填写增大还是降低），使jq (I2/2I－) jq (Cu2+/Cu+)（此空填写大于还是小于），反应向右进行
虽然jq(I2/2I－)＞ jq( Cu2+/Cu+)，从电位的大小看，应该I2氧化Cu＋，但是Cu+却能将I-氧化为I2。这是因为当I－浓度较大时, 2Cu2+＋ 4 I－ ＝ 2 CuI¯ ＋ I2 反应生成沉淀，使[Cu+]（此空填写增大还是降低），则jq( Cu2+/Cu+)会（此空填写增大还是降低），使jq (I2/2I－) jq (Cu2+/Cu+)（此空填写大于还是小于），反应向右进行
设|A|=2，且A为4阶矩阵，则|-2A|=（ ） A: 4 B: -4 C: 32 D: -32
设|A|=2，且A为4阶矩阵，则|-2A|=（ ） A: 4 B: -4 C: 32 D: -32
JK触发器的特性方程是____________________。 A: Q*=JQ'+K'Q B: Q*=JQ'+KQ C: Q*=JQ+K'Q
JK触发器的特性方程是____________________。 A: Q*=JQ'+K'Q B: Q*=JQ'+KQ C: Q*=JQ+K'Q