设栈的顺序存储空间为S(1:m)，初始状态为top=m+1。现经过一系列入栈与退栈运算后，top=20，则当前栈中的元素个数为: A: 30 B: 20 C: m-19 D: m-20
设栈的顺序存储空间为S(1:m)，初始状态为top=m+1。现经过一系列入栈与退栈运算后，top=20，则当前栈中的元素个数为: A: 30 B: 20 C: m-19 D: m-20
设栈的顺序存储空间为S（1:m），初始状态为top=m+1。现经过一系列正常的入栈与退栈操作后，top=20，则栈中的元素个数为（） A: 30 B: 20 C: m-19 D: M-20
设栈的顺序存储空间为S（1:m），初始状态为top=m+1。现经过一系列正常的入栈与退栈操作后，top=20，则栈中的元素个数为（） A: 30 B: 20 C: m-19 D: M-20
现在的集成电路及封装的特征线宽可能为 A: 20μm，20μm B: 20μm，2mm C: 20nm，20μm D: 20nm，200nm
现在的集成电路及封装的特征线宽可能为 A: 20μm，20μm B: 20μm，2mm C: 20nm，20μm D: 20nm，200nm
病毒的大小约为 A: 20～300ｎｍ B: 20～30μｍ C: 20～300ｍｍ D: 1～10μｍ E: 20～300μｍ
病毒的大小约为 A: 20～300ｎｍ B: 20～30μｍ C: 20～300ｍｍ D: 1～10μｍ E: 20～300μｍ
标贴件涂胶量要求（），相当于胶水涂胶自然完全风干后厚度23～30μm。 A: 20～25g/m B: 20～27g/m C: 20～27g/m D: 20～30g/m
标贴件涂胶量要求（），相当于胶水涂胶自然完全风干后厚度23～30μm。 A: 20～25g/m B: 20～27g/m C: 20～27g/m D: 20～30g/m
弥雾时的雾滴直径大小分布约为（）。 A: 10—20μm B: 20—100μm C: 100—150μm D: 20—50μm
弥雾时的雾滴直径大小分布约为（）。 A: 10—20μm B: 20—100μm C: 100—150μm D: 20—50μm
正常浆细胞系统原始浆细胞胞体直径是 A: 15~25μm B: 15~20μm C: 20~30μm D: 16~20μm E: 14~18μm
正常浆细胞系统原始浆细胞胞体直径是 A: 15~25μm B: 15~20μm C: 20~30μm D: 16~20μm E: 14~18μm
正常单核细胞系统原始单核细胞胞体直径是 A: 15～25μm B: 15～20μm C: 12～20μm D: 14～25μm E: 14～20μm
正常单核细胞系统原始单核细胞胞体直径是 A: 15～25μm B: 15～20μm C: 12～20μm D: 14～25μm E: 14～20μm
已知M点到V面的距离是15，到H面的距离是20，到W面的距离是25，则其坐标是（） A: M（15、20、25） B: M（25、15、20） C: M（20、15、25） D: M（25、20、15）
已知M点到V面的距离是15，到H面的距离是20，到W面的距离是25，则其坐标是（） A: M（15、20、25） B: M（25、15、20） C: M（20、15、25） D: M（25、20、15）
轴的公称尺寸为d=50mm，dmax=50.035， dmin=49.98，则极限偏差为（ ）。 A: es=+35μm ei=0μm B: es=35μm ei=20μm C: es=+35μm ei= -20μm D: es=-20μm ei=+35μm
轴的公称尺寸为d=50mm，dmax=50.035， dmin=49.98，则极限偏差为（ ）。 A: es=+35μm ei=0μm B: es=35μm ei=20μm C: es=+35μm ei= -20μm D: es=-20μm ei=+35μm